模拟输入：

        • 通道数：8(同步采样)

        • 检测类型：电压、全桥(使用MSI适配器可采集IEPE,电荷,热电偶和热电阻)

        • 分辨率：24-bit

        • ADC类型：Sigma-Delta

        • 采样频率：204.8 kS/s

        • -3 dB 带宽：76 kHz @ 200 kS/s

放大特性：

        • 输入范围：电压（±0.01 V, ±0.1 V, ±1 V, ±10 V）

                            电压，通过MSI-BR-V200（高达±200 V）

                            全桥（±10 mV/V, ±100 mV/V, ±1000 mV/V）

                            半桥或四分之一桥（有完整的外部电桥）

                            IEPE，通过MSI-BR-ACC（±0.1 V, ±1 V, ±10 V）

                            热电偶，通过MSI-BR-THx（热电偶全桥类型）

                             通过MSI-BR-RTD可接入Pt100, Pt200, Pt500,Pt1000, Pt2000

    • 精度：     10 V 量程: 测量值0.1 %, +1 mV

                            1 V量程: 测量值0.1 %, +0.5 mV

                            100 mV量程:测量值0.1 %of value, +0.1 mV

                            10 mV量程: 测量值0.1 % of value, +0.1 mV

    • 输入阻抗：10 MΩ||33 pF (共模), 20 MΩ||47 pF (差模)

    •共模抑制比：>80 dB

    •传感器激励电压：±5 V  0.1 % @ 100 mA, 12 V @ 400 mA 每通道

    •输入保护电压：±70 V

动态特性：

•信噪比@ fs<1000 Hz（< -100 dB）

•横向效应（< -100 dB）

计数/数字输入：

    •通道数：8 计数器/24 数字输入（每个软件每个计数器可以选择为3倍数字 

        输入）

        •计数模式：事件计数，编码器输入，周期，脉宽，占空比，频率测量

    •分辨率：32-bit

    •时基：102.4 MHz

    •信号等级：TTL/CMOS

    •输入保护电压：30V

环境：

    •操作温度：-20 到50°C

        •存储温度：-20 到70°C

    •相对湿度：10 到90 %

    •振动：MIL-STD 810F 514.5

    •冲击：MIL-STD 810F 516.5

物理特性：

        • 尺寸(L x W x H)：223 x 78 x 45 mm

        • 重量：0.72 kg

电源条件：

    •供电电压：6 到36 VDC

    •过压保护：80 V

    •负向输入电压保护：-30 V

    •电源功率：5 W

系统条件：

       •操作系统：Microsoft Widnows XP®

                           Microsoft Windows Vista®

                           Microsoft Windows 7®

       •接口：USB 2.0(配备专用锁定螺丝确保牢固连接)